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明尾 潔*; 明尾 庸子*; 坪田 一男*; 舟山 知夫; 浜田 信行*; 小林 泰彦
no journal, ,
これまでにわれわれは酸化ストレスとして可視光の照射や酸素濃度変化は細胞増殖を抑制し、培養網膜色素上皮細胞(RPE)に比較して培養大動脈血管内皮細胞により強い影響を与えていたことを報告してきた。今回、ヒト培養RECにおけるグルタチオンペルオキシダーゼ(GPX)発現にイオンビーム照射がどのような影響を与えるかを調べた。C(220MeV)とHe(50MeV)によるイオンビーム照射の場合は照射後0, 24時間のみ培養RECのGPX発現が増加していた。一方、Ne(350MeV)によるイオンビームの場合は照射後のいずれの時間においても培養RECのGPX発現が増加していた。線と異なり、照射したなかでもっともLETの高いNeイオンによる照射では培養RPEと培養RECにおけるGPX発現が増加していた。LETが増加するに伴い、細胞損傷の質が変化し、GPX発現の増加が引き起こされた可能性がある。このことから、イオンビーム照射はGPX発現の誘導によりRECにおける酸化ストレス傷害を防御できる可能性があることが示唆された。